Samsung Electronics будет использовать техпроцесс TSMC (3 нм) для производства базовых кристаллов (Base Die) в рамках проекта NVIDIA по созданию кастомной архитектуры высокочастотной памяти с широкой полосой пропускания (HBM) — NVHBM. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на южнокорейское издание «Сеул эконом ньюс».
NVIDIA потребовала от Samsung, SK Hynix и Micron Technology использовать техпроцесс TSMC при производстве базовых кристаллов для NVHBM, а также применять в основных кристаллах технологию DRAM шестого поколения (1c).
NVHBM — кастомная архитектура HBM, которую NVIDIA представила в августе. В ней контроллер памяти интегрирован в базовый кристалл. Цель решения — стандартизировать подходы разных производителей памяти. По данным ZDNet Korea, NVHBM может обеспечить прирост пропускной способности памяти до 30 % по сравнению со стандартной HBM4E и снизить энергопотребление до 15 %. Первым потенциальным заказчиком может стать Amazon: его подразделение Annapurna Labs планирует использовать технологии NVLink Fusion и NVHBM для разработки AI-ускорителя Trainium4.
Базовый кристалл располагается под многослойными DRAM-кристаллами и отвечает за соединение памяти с логическим чипом. С каждой новой версией HBM роль базового кристалла растёт.
Samsung планирует сочетать собственное производство базовых кристаллов с продукцией TSMC — выбор будет зависеть от требований заказчиков. Уже есть клиенты, которые разрабатывают продукты с использованием кристаллов памяти Samsung и базовых кристаллов TSMC. При этом для стандартных версий HBM и кастомных решений для других клиентов (например, AMD) Samsung продолжит использовать собственные мощности.
HBM4, серийный выпуск которого Samsung начал в феврале, и ещё не запущенный в серию HBM4E используют 4-нм техпроцесс Samsung для базовых кристаллов.
Подписаться в Макс